PPMUT20V3 دیتاشیت

PPMUT20V3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PPMUT20V3
حجم فایل 72.502 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت PPMUT20V3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shanghai Prisemi Elec PPMUT20V3
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 140mΩ@4.5V,2.8A
  • Package: SOT-323-3(SC-70-3)
  • Manufacturer: Shanghai Prisemi Elec

محصولات مشابه