NSVBC858AWT1G دیتاشیت

NSVBC857CWT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSVBC857CWT1G
حجم فایل 71.086 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت NSVBC857CWT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi NSVBC858AWT1G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 180@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 650mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-323(SC-70)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه