TPD60R530M دیتاشیت

TPA60R530M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPA60R530M
حجم فایل 86.942 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت TPA60R530M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPD60R530M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 63W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 526pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.6pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 460mΩ@10V,3.5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه