RQ1A060ZPTR دیتاشیت

RQ1A060ZPTR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ1A060ZPTR
حجم فایل 69.878 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت RQ1A060ZPTR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ1A060ZPTR
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 34nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.8nF@6V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 310pF@6V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 23mΩ@6A,4.5V
  • Package: TSMT-8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه