CS3N90A3H1-G دیتاشیت

CS3N90A3H1-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS3N90A3H1-G
حجم فایل 77.141 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS3N90A3H1-G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS3N90A3H1-G
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 900V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5Ω@10V,1.5A
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه