NCE65TF130 دیتاشیت

NCE65TF130

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE65TF130
حجم فایل 89.797 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NCE65TF130

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65TF130
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 260W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 37.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.07nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 28A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ@10V,14A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه