NCEP020N30GU دیتاشیت

NCEP020N30GU

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP020N30GU
حجم فایل 84.093 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NCEP020N30GU

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP020N30GU
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 70W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 40.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.4nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 120pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.75mΩ@10V,50A
  • Package: DFN-8(5.8x4.9)
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه