دیتاشیت BC 850BW H6327

BC 850BW H6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC 850BW H6327
حجم فایل 75.285 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

BC 850BW H6327

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies BC 848C E6433
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 330mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 520@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه