- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت BLM2012E
BLM2012E دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BLM2012E |
|---|---|
| حجم فایل | 89.169 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت BLM2012E |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: 2 N-Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: BL(Shanghai Belling) BLM2012E
- Power Dissipation (Pd): 1.5W
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Continuous Drain Current (Id): 7A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 21mΩ@4.5V,6.5A
- Package: TSSOP-8
- Manufacturer: BL(Shanghai Belling)