APG022N06G دیتاشیت

ALLPOWER APG022N06G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ALLPOWER APG022N06G
حجم فایل 73.259 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت ALLPOWER APG022N06G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) APG022N06G
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 140W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 110nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.052nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 150A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 185pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.9mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor)

محصولات مشابه