Infineon Technologies IRF7853TRPBF دیتاشیت

IRF7853PBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF7853PBF
حجم فایل 71.902 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت IRF7853PBF-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF7853TRPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 39nC
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.64nF
  • Continuous Drain Current (Id): 8.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.9V@100uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 71pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,8.3A
  • Package: SOIC-8

محصولات مشابه