BSC060N10NS3G دیتاشیت

BSC060N10NS3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSC060N10NS3G
حجم فایل 58.56 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت BSC060N10NS3G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSC060N10NS3G
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 14.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@90uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,50A
  • Package: TDSON-8-EP(6x5)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه