NCEP068N10AG دیتاشیت

NCEP068N10AG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP068N10AG
حجم فایل 85.346 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NCEP068N10AG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP068N10AG
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 105W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 76nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.68nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 85A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 14.5pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.1mΩ@10V,40A
  • Package: DFN-8(5.8x4.9)
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه