HY3210NA2P دیتاشیت

HY3210NA2P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY3210NA2P
حجم فایل 64.281 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HY3210NA2P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY3210NA2P
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-220FB-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه