onsemi FCB099N65S3 دیتاشیت

FCB099N65S3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCB099N65S3
حجم فایل 64.193 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت FCB099N65S3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FCB099N65S3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 227W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 61nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.48nF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@740mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 79mΩ@10V,15A
  • Package: D2PAK

محصولات مشابه