onsemi FCB099N65S3 دیتاشیت

FCB099N65S3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCB099N65S3
حجم فایل 64.193 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FCB099N65S3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FCB099N65S3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 227W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 61nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.48nF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@740mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 79mΩ@10V,15A
  • Package: D2PAK

محصولات مشابه