IPL65R1K5C6S دیتاشیت

IPL65R1K5C6S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPL65R1K5C6S
حجم فایل 33.187 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPL65R1K5C6S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPL65R1K5C6S
  • Power Dissipation (Pd): 26.6W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5Ω@10V,1A
  • Package: TSON-8
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه