3DD13007X1 دیتاشیت

3DD13007X1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 3DD13007X1
حجم فایل 61.184 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت 3DD13007X1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13007X1
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 8A
  • Power Dissipation (Pd): 80W
  • Transition Frequency (fT): 10MHz
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@5A,1A
  • Package: TO-220AB-3
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه