دیتاشیت BC817G-40-AE3-R
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | BC817G-40-AE3-R |
---|---|
حجم فایل | 51.903 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 4 |
دانلود دیتاشیت BC817G-40-AE3-R |
BC817G-40-AE3-R Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet: UTC(Unisonic Tech) BC817G-40-AE3-R
- Transistor Type: NPN
- Operating Temperature: +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic): 1.5A
- Power Dissipation (Pd): 310mW
- Transition Frequency (fT): -
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 250@100mA,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 700mV@500mA,50mA
- Package: SOT-23
- Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)