دیتاشیت TSM650P03CX RFG

TSM650P03CX RFG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TSM650P03CX RFG
حجم فایل 67.537 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت TSM650P03CX RFG

TSM650P03CX RFG Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Taiwan Semiconductor TSM650P03CX RFG
  • Power Dissipation (Pd): 1.56W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.4nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 810pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,4A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Taiwan Semiconductor