SIR836DP-T1-GE3 دیتاشیت

SIR836DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIR836DP-T1-GE3
حجم فایل 90.237 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SIR836DP-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIR836DP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.9W;15.6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 600pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 21A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,10A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه