IPD65R600C6 دیتاشیت

IPD65R600C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD65R600C6
حجم فایل 34.891 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 19

مشاهده دیتاشیت IPD65R600C6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD65R600C6
  • Power Dissipation (Pd): 63W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 7.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@210uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 600mΩ@10V,2.1A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه