TPA65R360M دیتاشیت

TPA65R360M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPA65R360M
حجم فایل 96.44 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت TPA65R360M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WUXI UNIGROUP MICRO TPA65R360M
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 31W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 22nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 871pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 5pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 310mΩ@10V,5.5A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: WUXI UNIGROUP MICRO

محصولات مشابه