HY3210B دیتاشیت

HY3210B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY3210B
حجم فایل 64.463 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY3210B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY3210B
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 237W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 120nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.922nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 508pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.8mΩ@10V,60A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه