- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HY0910D
HY0910D دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HY0910D |
|---|---|
| حجم فایل | 61.525 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 11 |
دانلود دیتاشیت HY0910D |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HUAYI HY0910D
- Power Dissipation (Pd): 21W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 9A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 143mΩ@10V,4.5A
- Package: TO-252
- Manufacturer: HUAYI
