NCE70T680F دیتاشیت

NCE70T680F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE70T680F
حجم فایل 86.593 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NCE70T680F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE70T680F
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 31.4W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 700V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 435pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3.3pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 680mΩ@10V,3.5A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه