HSH150N02 دیتاشیت

HSH150N02

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSH150N02
حجم فایل 76.637 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSH150N02

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSH150N02
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 135nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5782pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 318pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,60A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه