SVF2N65F دیتاشیت

SVF2N65F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF2N65F
حجم فایل 64.332 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SVF2N65F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N65F
  • Power Dissipation (Pd): 25W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8Ω@10V,1A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه