HSW6800 دیتاشیت

HSW6800

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSW6800
حجم فایل 70.406 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSW6800

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSW6800
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.4W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.5nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 880pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 73pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@4.5V,4A
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه