HSCB20D03 دیتاشیت

HSCB20D03

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSCB20D03
حجم فایل 70.624 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSCB20D03

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSCB20D03
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 3.3nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 331pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 750mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 37pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@4.5V,3A
  • Package: DFN-6(2x2)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه