NCE65TF099F دیتاشیت

NCE65TF099

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE65TF099
حجم فایل 89.923 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت NCE65TF099

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65TF099F
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 36W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.8nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 38A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.5pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 89mΩ@10V,19A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه