BFP410H6327 دیتاشیت

BFP410H6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFP410H6327
حجم فایل 68.49 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت BFP410H6327

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies BFP410H6327
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 40mA
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Transition Frequency (fT): 25GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 95@13mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 4.5V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
  • Package: SOT-343
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه