دیتاشیت SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI9945BDY-T1-GE3
حجم فایل 92.942 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI9945BDY-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 20nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 665pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 72mΩ@4.5V,3.9A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه