TPM2008EP3 دیتاشیت

TPM2008EP3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت TPM2008EP3
حجم فایل 55.759 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

مشاهده دیتاشیت TPM2008EP3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: TECH PUBLIC TPM2008EP3
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 100mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 120pF@16V
  • Continuous Drain Current (Id): 700mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 750mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 15pF@16V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ@4.5V,650mA
  • Package: DFN-3(0.6x1)
  • Manufacturer: TECH PUBLIC

محصولات مشابه