PDTB113ZT,215 دیتاشیت

PDTB113ZT,215

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PDTB113ZT,215
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت PDTB113ZT,215-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PDTB113ZT,215
  • Transistor Type: One PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 70@50mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@2.5mA,50mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه