HY4004A دیتاشیت

HY4004A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY4004A
حجم فایل 55.262 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY4004A-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY4004A
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 268W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 158nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5700pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 208A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 596pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.4mΩ@10V,104A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه