HY1106S دیتاشیت

HY1106S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1106S
حجم فایل 45.935 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت HY1106S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1106S
  • Power Dissipation (Pd): 3.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V,11A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه