دیتاشیت SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4925BDY-T1-E3
حجم فایل 72.985 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4925BDY-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 50nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,7.1A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه