BSH108,215 دیتاشیت

BSH108,215

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSH108,215
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت BSH108,215

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia BSH108,215
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 830mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 190pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 120mΩ@10V,1A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه