دیتاشیت IPP034NE7N3 G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
IPP034NE7N3 G
|
حجم فایل |
60.296
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
10
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPP034NE7N3 G
-
Power Dissipation (Pd):
214W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
75V
-
Continuous Drain Current (Id):
100A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.8V@155uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
3.4mΩ@10V,100A
-
Package:
TO-220-3
-
Manufacturer:
Infineon Technologies