VBI1101M دیتاشیت

VBI1101M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBI1101M
حجم فایل 74.095 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت VBI1101M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBI1101M
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@4.5V,1A
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه