NTMFS6H836NLT1G دیتاشیت

NTMFS6H836NLT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMFS6H836NLT1G
حجم فایل 90.229 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NTMFS6H836NLT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTMFS6H836NLT1G
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 89W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 16nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.95nF@40V
  • Continuous Drain Current (Id): 77A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@95uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 11pF@40V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.1mΩ@10V,15A
  • Package: DFN-5(5.9x4.9)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه