SI9933CDY-T1-E3 دیتاشیت

SI9933CDY-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI9933CDY-T1-E3
حجم فایل 79.5 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI9933CDY-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI9933CDY-T1-E3
  • Operating Temperature: -50°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 26nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 665pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 58mΩ@4.5V,4.8A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه