MJD32CJ دیتاشیت

MJD32CJ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD32CJ
حجم فایل 54.89 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت MJD32CJ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia MJD32CJ
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 1.6W
  • Transition Frequency (fT): 3MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 25@1A,4V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.2V@3A,375mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه