IKB15N65EH5 دیتاشیت

IKB15N65EH5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IKB15N65EH5
حجم فایل 63.266 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

مشاهده دیتاشیت IKB15N65EH5-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Infineon Technologies IKB15N65EH5
  • Operating Temperature: -40°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 30A
  • Power Dissipation (Pd): 105W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 16ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 930pF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.4mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): 1.45V@15A
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 38nC@15A,15V
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 145ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 45A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.08mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 70ns
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 50uA@650V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 650V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 4V@150uA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.65V@15A,15V
  • Package: TO-263-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه