GC11N65F دیتاشیت

GC11N65K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GC11N65K
حجم فایل 91.172 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت GC11N65K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD GC11N65F
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 31.3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 21nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 901pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 360mΩ@10V,5.5A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه