G12P03D3 دیتاشیت

G12P03D3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G12P03D3
حجم فایل 75.362 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G12P03D3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G12P03D3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 24.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.253nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 158pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V,6A
  • Package: PDFN-8(3x3.1)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه