دیتاشیت BFR 840L3RHESD E6327
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BFR 840L3RHESD E6327 |
|---|---|
| حجم فایل | 71.465 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 22 |
دانلود دیتاشیت BFR 840L3RHESD E6327 |
BFR 840L3RHESD E6327 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet: Infineon Technologies BFR 840L3RHESD E6327
- Transistor Type: -
- Operating Temperature: +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic): 30mA
- Power Dissipation (Pd): 75mW
- Transition Frequency (fT): 75GHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 260@10mA,1.8V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 400nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 2.25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
- Package: TSLP-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
