BFR 840L3RHESD E6327 دیتاشیت

BFR 840L3RHESD E6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFR 840L3RHESD E6327
حجم فایل 71.465 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 22

مشاهده دیتاشیت BFR 840L3RHESD E6327-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies BFR 840L3RHESD E6327
  • Transistor Type: -
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 30mA
  • Power Dissipation (Pd): 75mW
  • Transition Frequency (fT): 75GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 260@10mA,1.8V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 400nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 2.25V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
  • Package: TSLP-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه