SI8819EDB-T2-E1 دیتاشیت

SI8819EDB-T2-E1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI8819EDB-T2-E1
حجم فایل 94.911 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SI8819EDB-T2-E1-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI8819EDB-T2-E1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 900mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 17nC@8V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 650pF@6V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@1.5A,3.7V
  • Package: MicroFoot-4
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه