VBM165R07S دیتاشیت

VBM165R07S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBM165R07S
حجم فایل 69.47 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت VBM165R07S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBM165R07S
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 700mΩ@10V,7A
  • Package: TO-220AB-3
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه